設備簡介:安動自主研發的單腔去膠設備,採用自動三軸高精度機械手臂、微波等離子源及單片反應腔設計,基於Windows 平台的人機交換界面操作簡單,系統架構合理。設備具有佔地空間小,產能效率高,耗材成本及運營成本低等優點。適用於半導體前後段各種光刻膠的去除。 設備優勢: •適用4、6、8寸晶圓(1-3代半導體) •自適應機械手臂,取放精度0.05mm •高密封腔體設計,真空底壓30mT •微波+石英氣路設計,去膠均勻性5~7% •增加FFU有效減少顆粒污染 |
功能配置 | 技術參數 |
設備稼動率 | ≥95% |
平均修理時間 | ≤4hours |
平均故障間隔時間 | ≥250hours |
平均輔助間隔時間 | ≥24hours |
晶圓破片率 | ≤1 in 10,000 wafers |
工藝腔真空度 | ≤30 mtorr |
腔體漏率 | ≤10 mtorr/min |
加熱溫度控制 | ±3C of setpoint |
微波功率範圍 | 30o w to 1500 w |
微波功率控制 | ±3% of setpoint |
每小時晶圓清洗產能 | >25(4微米光刻膠) |
基材損耗 | <10A |
去膠工藝 | ||
光刻膠去除速率 | >40000 A/min | |
光刻膠去除均勻性 | 片內均勻性 | Spc<7% |
片間均勻性 | Spc<7% | |
批次間均勻性 | Spc<7% | |
聚合物去除 | 基材損耗 | <10A |
顆粒 | <30ea(0.3u) |
除渣工藝 | ||
除渣去膠速率 | 1000-3000 A/min | |
除渣去膠均勻性 | 片內均勻性 | Spc<7% |
片間均勻性 | Spc<7% | |
批次間均勻性 | Spc<7% | |
聚合物去除 | 基材損耗 | <5A |
顆粒 | <30ea(0.3u) |
碳膜去除工藝 | ||
碳膜去除速率 | 200-800 A/min | |
碳膜去除均勻性 | 片內均勻性 | Spc<7% |
片間均勻性 | Spc<7% | |
批次間均勻性 | Spc<7% | |
聚合物去除 | 基材損耗 | <5A |
顆粒 | <30ea(0.3u) |